Есть такие транзисторы под названием Дарлингтона или составные транзисторы.Корпуса таких транзисторов ничем не отличаются от обычных,также три вывода,по схеме обозначаются также.Так в чем же их отличие от обычных?
Такие транзисторы состоят из двух транзисторов и включены они так,что эмиттер первого транзистора подключен к базе второго.Ток эмиттера первого транзистора является током базы второго.Первый транзистор как правило менее мощный чем второй.Это делается для того,чтобы транзистор имел большой коэффициент усиления по току или коэффициент передачи тока,обозначается это как hFE или h21э. Этот коэффициент у составного транзистора может быть равен 750-18000 и более,у обычного транзистора в среднем 50-250.Это и есть самая главная характеристика транзистора Дарлингтона.
У транзистора КТ815В,hFE равен 44
hFE транзистора Дарлингтона КТ972А равен 750,тестер не покажет его полностью,так как не способен его измерить,но и так видно,что усиление КТ972 больше чем КТ815.
Для наглядной демонстрации работы транзистора Дарлингтона,можно собрать простую схему.Нагрузку в коллектор транзистора надо подключить лампу накаливания 2.5В*150мА,на базу подать ток через резистор сопротивлением 10к,источник питания 3.7В. Выход звука с плеера подать на базу через конденсатор емкостью 4.7мкФ. С обычным транзистором КТ815В лампа будет тускло светить в такт звуку,с составным транзистором КТ972А лампа будет мигать в полный накал.Если на базу транзистора КТ972А,у которого hFE равняется 750,подать сигнал с током 1 мА,то этот сигнал усилится до 750 мА при определенных режимах работы.
Но есть и минусы у таких транзисторов.Составные транзисторы не работают на высоких частотах,их вы не увидите в выходном каскаде передатчиков,у них низкая граничная частота.Только у транзисторов КТ972 и КТ973 граничная частота указана до 200МГц. Если его применить на частоте 27МГц,он возможно и будет работать, но сигнал плохо будет усиливать и корпус будет сильно греться.У транзисторов низкое быстродействие для работы в ключевых схемах,хотя их и применяют в импульсных устройствах.Падение напряжения б-э в два раза больше,нежели чем у обычных транзисторов.
Их применяют в выходных каскадах усилителей низкой частоты,стабилизаторах тока и напряжения,электронных системах управления,схемах автоматики и защиты.